天津山河光电科技有限公司孙磊获国家专利权
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龙图腾网获悉天津山河光电科技有限公司申请的专利一种基于高深宽比纳米柱的光学器件制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114890379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210529439.8，技术领域涉及：B82B3/00；该发明授权一种基于高深宽比纳米柱的光学器件制作方法是由孙磊设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于高深宽比纳米柱的光学器件制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种基于高深宽比纳米柱的光学器件制作方法，针对光学器件中的任一纳米柱，方法包括：在衬底的端面之上镀第一材料；刻蚀部分第一材料，得到设置纳米柱的目标位置，以及在刻蚀掉第一材料的衬底端面处镀第二材料；在第二材料与第一材料形成的端面之上镀纳米材料；刻蚀纳米材料，以保留纳米柱的目标位置处的纳米材料，得到纳米柱，纳米柱的高度与纳米柱的宽度比值大于或者等于10；在刻蚀掉纳米材料的部分镀保护材料，以支撑所述纳米柱。通过依次镀两层材料的方式，增加了纳米柱的高度，同时保持纳米柱宽度不变，达到增大深宽比的目的。此外，在纳米柱周围镀保护材料，用来支撑纳米柱，有效解决了纳米柱倒伏的问题。
本发明授权一种基于高深宽比纳米柱的光学器件制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于高深宽比纳米柱的光学器件制作方法，其特征在于，针对所述光学器件中的任一纳米柱，所述方法包括： 在衬底的端面之上镀第一材料，使得所述第一材料覆盖所述衬底完整端面； 刻蚀部分所述第一材料，得到设置所述纳米柱的目标位置，以及在刻蚀掉所述第一材料的衬底端面处镀第二材料，使得所述第二材料与所述第一材料高度相同； 在所述第二材料与所述第一材料形成的端面之上镀纳米材料，使得所述纳米材料覆盖完整端面； 刻蚀所述纳米材料，以保留所述纳米柱的目标位置处的纳米材料，得到纳米柱，所述纳米柱的高度与所述纳米柱的宽度比值大于或者等于10，其中，位于所述目标位置处的第一材料或者第二材料形成所述纳米柱的第一部分，位于目标位置处的纳米材料形成所述纳米柱的第二部分，所述第一部分的纳米材料与所述第二部分的纳米材料不同，所述第一部分与所述第二部分的界面处镀有增透膜； 在刻蚀掉所述纳米材料的部分镀保护材料，以支撑所述纳米柱。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津山河光电科技有限公司，其通讯地址为：300450 天津市滨海新区经济技术开发区滨海-中关村科技园华塘睿城一区3号楼二层B区015号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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