西安微电子技术研究所张磊获国家专利权
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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路及吸收方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114884330B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210493597.2，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路及吸收方法是由张磊;屈婉莹;崔小川;王文超设计研发完成，并于2022-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路及吸收方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路及吸收方法，属于供电控制领域。本发明的一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路及吸收方法，可有效对负载端产生的正向或反向冲击电压进行箝位，能够根据产品性能要求设置电压阈值，将超出阈值的双向高压尖峰吸收在可调范围内，有效缓解了该高压冲击对于产品电性能的影响，提高产品的可靠性。本发明可对具有高压输出电源产品负载端的双向尖峰电压进行吸收，缓解了高压冲击对于产品电性能的影响。
本发明授权一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路及吸收方法在权利要求书中公布了：1.一种响应可调的高压尖峰双向吸收电路，其特征在于，包括第一开关二极管D1和第二开关二极管D2，第一开关二极管D1的负极连接有第一稳压管Z1的负极，第一稳压管Z1的正极同时连接有第一电极R1和第二电极R2的一端，第一电极R1的另一端同时连接第三稳压管Z3的负极和第一N型MOS管Q1的G极，第一N型MOS管Q1的S极同时连接第二N型MOS管Q2的S极、第三稳压管Z3的正极和第四稳压管Z4的正极，第一N型MOS管Q1的D极连接第一开关二极管D1的正极；第二电极R2的另一端同时接第三电极R3的一端，第四稳压管Z4的正极，第三电极R3的另一端同时连接有第二稳压管Z2的正极和第四电极R4的一端，第四电极R4的另一端同时接有第四稳压管Z4的负极和第二N型MOS管Q2的G极，第二稳压管Z2的负极接有第二开关二极管D2的负极，第二开关二极管D2的正极接有第二N型MOS管Q2的D极；第一开关二极管D1的正极和第二开关二极管D2的正极同时还作为负载端电压输入。
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