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龙图腾网获悉西安航天民芯科技有限公司申请的专利一种用于高性能电源管理的COT恒定导通时间电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114696577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210434364.5，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种用于高性能电源管理的COT恒定导通时间电路是由王婉;孙权;夏雪;袁婷;董磊设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于高性能电源管理的COT恒定导通时间电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于高性能电源管理的COT恒定导通时间电路，属于开关电源领域，RON与地连接，通过内部电路设置设置VIN及RON相关的电流信号，并通过电流信号的镜像信号对电容充电技术，同时通过单次触发定时器及比较器将电容信号及固定电压进行比较，产生了与VIN相关的恒定导通时间及与VOUT相关的开关频率的技术，解决了不需要使用内部振荡器，实现频率恒定的问题，同时实现了开关频率的自控制。

本发明授权一种用于高性能电源管理的COT恒定导通时间电路在权利要求书中公布了：1.一种用于高性能电源管理的COT恒定导通时间电路，其特征在于，包括：外部电阻、第一电阻R1、第二电阻R2、第一N型MOS管NM1、第二N型MOS管NM2、第三N型MOS管NM3、第四N型MOS管NM4、第一P型MOS管PM1、第二P型MOS管PM2、第三P型MOS管PM3、第四P型MOS管PM4、第五P型MOS管PM5、第一P型三极管PNP1、第二P型三极管PNP2、第三P型三极管PNP3、第四P型三极管PNP4、电容和比较器； 第一N型MOS管NM1的栅极与第一N型MOS管NM1的漏极、第二N型MOS管NM2的栅极、第三N型MOS管NM3的栅极、第四N型MOS管NM4的栅极连接，并与外部的偏置电流IBIAS1连接，第二N型MOS管NM2的漏极与第一P型MOS管PM1的栅极、第一P型MOS管PM1的漏极、第二P型MOS管PM2的栅极、第三P型MOS管PM3的栅极连接，第三N型MOS管NM3的漏极与第一P型三极管PNP1的集电极、第五P型MOS管PM5的栅极连接，第四N型MOS管NM4的漏极与第二P型三极管PNP2的集电极、第四P型MOS管PM4的栅极连接，第二P型MOS管PM2的漏极与第四P型MOS管PM4的源极、第一P型三极管PNP1的基极、第二P型三极管PNP2的基极连接，第三P型MOS管PM3的漏极与第五P型MOS管PM5的源极、第三P型三极管PNP3的基极、第四P型三极管PNP4的基极连接，第四P型MOS管PM4和第五P型MOS管PM5的漏极均接地，第一P型三极管PNP1的发射级与外部电阻的一端、第一电阻R1的一端连接，第二P型三极管PNP2的发射级与电阻R2的一端、第三P型三极管PNP3的发射极、第四N型三极管PNP4的发射极连接，第三P型三极管PNP3的集电极接地，第四P型三极管PNP4的集电极与电容的正端、比较器的输入负端连接，第四P型三极管PNP4的发射级与第二电阻R2的一端、第二P型三极管PNP2的发射极、第三P型三极管PNP3的发射极连接，第二电阻R2的另一端与电源VIN连接，外部电阻的另一端与地GND连接，外部电阻的一端与第一P型三极管PNP1的发射级、第一电阻R1的一端连接，第一电阻R1的另一端与电源VIN连接；第一N型MOS管NM1、第二N型MOS管NM2、第三N型MOS管NM3和第四N型MOS管NM4的源极均接地；第一P型MOS管PM1、第二P型MOS管PM2和第三P型MOS管PM3的源极均与内部电源VCC连接，电容的正端与第四P型三极管PNP4的集电极、比较器的输入负极连接，电容的负端与地GND连接，比较器的输入正端与固定电压基准VREF连接，比较器的输入负端与电容的正端、第四P型三极管PNP4的集电极连接。

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