华南理工大学耿魁伟获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利抑制SRH非辐射复合的微米正装LED器件及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210300144.3，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权抑制SRH非辐射复合的微米正装LED器件及其制备方法和应用是由耿魁伟;徐香琴;刘玉荣;姚若河设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本抑制SRH非辐射复合的微米正装LED器件及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供抑制SRH非辐射复合的微米正装LED器件及其制备方法和应用，通过在微尺寸器件上制备微米孔阵列，并注入N型材料，其作用是在P型半导体材料传输层边缘形成一圈高阻区，从而限制电流向器件边缘的侧壁缺陷较多的区域扩展。而载流子向边缘扩散时，由于刻蚀缺陷的存在会引起SRH复合，因此可以从根本上降低载流子发生SRH复合，提高外量子效率。
本发明授权抑制SRH非辐射复合的微米正装LED器件及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种抑制SRH非辐射复合的微米尺寸正装LED器件，其特征在于：所述器件的外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、非掺杂的GaN缓冲层、N型GaN层；所述N型GaN层包括第一N型GaN层和第二N型GaN层；所述第二N型GaN层覆盖部分所述第一N型GaN层；所述第二N型GaN层上依次设置有多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、电流扩展层；所述电流扩展层覆盖部分所述P型GaN层；所述第一N型GaN层上未被所述第二N型GaN层覆盖部分上分布有N电极，所述电流扩展层表面分布有P电极；所述器件除P电极与N电极之外的区域覆盖有钝化层；从上至下所述P型GaN层、所述电子阻挡层、所述多量子阱层和所述第二N型GaN层构成Mesa台面；所述Mesa台面从台面边缘往中心方向部分区域设置有微米孔，所述微米孔填充有N型材料；所述微米孔是从电流扩展层往下刻蚀形成，具体为刻蚀至P型GaN层、刻蚀至电子阻挡层或刻蚀至量子阱层的一种所形成的；所述N型材料为透明材料；所述透明材料选自ITO、IGZO、ZTO或IZO的至少一种； 所述微米孔呈圆环形阵列分布在Mesa台面上，靠近Mesa台面边缘但不与边缘接触。
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