广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所刘锐森获国家专利权
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龙图腾网获悉广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566574B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210184601.7，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法是由刘锐森;孙钱;黄应南;杨勇设计研发完成，并于2022-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法。所述AlGaN基紫外LED外延结构包括沿一指定方向依次设置的N型AlbGa1‑bN层、多量子阱有源区、P型AlcGa1‑cN电子阻挡层和P型GaN接触层；所述多量子阱有源区包括交替生长的多个AlxGa1‑xN量子阱层和多个AlyGa1‑yN量子垒层，其中在所述指定方向上的最后一个AlxGa1‑xN量子阱层掺杂有Si，其中0＜x、y≤1。较之现有技术，本申请AlGaN基紫外LED外延结构的光输出功率有显著提升。
本发明授权AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种AlGaN基紫外LED外延结构，包括沿一指定方向依次设置的N型AlbGa1-bN层、多量子阱有源区、P型AlcGa1-cN电子阻挡层和P型GaN接触层，0b≤1、0c≤1； 其特征在于：所述多量子阱有源区包括沿所述指定方向依次设置的第一量子阱结构和第二量子阱结构，所述第一量子阱结构包括交替生长m个周期的第一Alx1Ga1-x1N量子阱层和第一Aly1Ga1-y1N量子垒层，0x1≤1、0y1≤1，1≤m≤10，所述第二量子阱结构包括一第二Alx2Ga1-x2N量子阱层和一第二Aly2Ga1-y2N量子垒层，0x2≤1、0y2≤1，所述第二Alx2Ga1-x2N量子阱层为在所述指定方向上的最后一个AlxGa1-xN量子阱层，且所述第一Alx1Ga1-x1N量子阱层内未掺杂Si，所述第一Aly1Ga1-y1N量子垒层内掺杂有Si，所述第二Alx2Ga1-x2N量子阱层掺杂有Si，所述第二Aly2Ga1-y2N量子垒层未掺杂Si。
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