江苏帝奥微电子股份有限公司吕宇强获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏帝奥微电子股份有限公司申请的专利一种集成过压保护二极管的NLDMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420759B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210169338.4，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种集成过压保护二极管的NLDMOS器件是由吕宇强;鞠建宏设计研发完成，并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成过压保护二极管的NLDMOS器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成过压保护二极管的NLDMOS器件，应用于半导体集成电路技术领域，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底内由下至上设有P型重掺杂埋层和N型重掺杂埋层，外延层位于P型半导体衬底的顶部；N型重掺杂埋层的引出深N阱位于所述外延层内；引出深N阱的表面设有引出漏极N+接触区；在引出深N阱和功率开关管漏极之间设有隔离浅槽；功率开关管漏极、功率开关管栅极、功率开关管源极和功率开关管背栅极均位于外延层。本发明仅通过增加一个工艺层次，形成了内置于芯片自身功率开关管下方的体内浪涌保护二极管，实现高效率、低成本的解决ESD和浪涌等过压电应力的集成化保护的创新方案。
本发明授权一种集成过压保护二极管的NLDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种集成过压保护二极管的NLDMOS器件，其特征在于，包括： P型半导体衬底1，在所述P型半导体衬底1内由下至上设有P型重掺杂埋层2和N型重掺杂埋层4，外延层5位于所述P型半导体衬底1的顶部；所述N型重掺杂埋层4的引出深N阱6位于所述外延层5内；所述引出深N阱6的表面设有引出漏极N+接触区7；在所述引出深N阱6和功率开关管漏极9之间设有隔离浅槽8； 功率开关管漏极9、功率开关管栅极10、功率开关管源极11和功率开关管背栅极12均位于所述外延层5，依次设置于所述隔离浅槽8远离所述引出深N阱6的一端，构成功率开关管； 其中，所述P型重掺杂埋层2和所述N型重掺杂埋层4构成PN结；所述器件依纵轴对称设置。
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