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龙图腾网获悉南京市智凌芯电子科技有限公司申请的专利抗干扰带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114489230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210146688.9，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权抗干扰带隙基准电路是由黄允隆;杨全;谷申设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗干扰带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗干扰带隙基准电路，包括依次相连的用于产生固定电压并作为带隙基准电路基准电压的电源锁定电路、用于产生带隙基准电压的带隙基准电路和用于输出带隙基准电压的输出电路，所述电源锁定电路的一端与输入电源相连，一端与接地端相连，该电源锁定电路包括6个MOS管、1个电阻和1个三极管。本发明在带隙基准电路前端加入电源锁定电路，利用组件特性将基准电压锁定在特定电压作为带隙基准电路电源，进而让带隙基准电路摆脱输入端干扰。

本发明授权抗干扰带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种抗干扰带隙基准电路，其特征在于：包括依次相连的用于产生固定电压并作为带隙基准电路基准电压的电源锁定电路、用于产生带隙基准电压的带隙基准电路和用于输出带隙基准电压的输出电路，所述电源锁定电路的一端与输入电源相连，一端与接地端相连，该电源锁定电路包括6个MOS管、1个电阻和1个三极管；所述电源锁定电路包括第六MOS管（N6）、第七MOS管（P7）、第八MOS管（P8）、第九MOS管（P9）、第十MOS管（N10）、第十一MOS管（N11）、第四电阻（R4）和第四三极管（Q4），第六MOS管（N6）的漏极连接于基准电压（VREF），第六MOS管（N6）的栅极与带隙基准电路和输出电路相连，第六MOS管（N6）的源极连接第四电阻（R4），第四电阻（R4）的另一端连接于第四三极管（Q4）的第一极，第四三极管（Q4）的基极和第二极都连接至接地端（GNDA），第八MOS管（P8）和第九MOS管（P9）的源极连接于输入电源（V3A），第八MOS管（P8）的漏极连接于基准电压（VREF），第八MOS管（P8）的栅极和第九MOS管（P9）的栅极和漏极相连，第十一MOS管（N11）的漏极连接于第九MOS管（P9）的漏极，第十一MOS管（N11）的栅极连接于第十MOS管（N10）的栅极，第十一MOS管（N11）的源极连接至接地端（GNDA），第七MOS管（P7）的源极连接于基准电压（VREF），第七MOS管（P7）的栅极与带隙基准电路和输出电路相连，第七MOS管（P7）的漏极连接于第十MOS管（N10）的漏极，第十MOS管（N10）的漏极与栅极相连，第十MOS管（N10）的源极连接至接地端（GNDA）。

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