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龙图腾网获悉江苏帝奥微电子股份有限公司申请的专利一种集成钳位二极管结构及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388495B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210108723.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种集成钳位二极管结构及形成方法是由吕宇强;鞠建宏设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成钳位二极管结构及形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成钳位二极管结构及形成方法，其中结构包括：芯片本体、深N阱层、N型重掺杂埋层及P型重掺杂层；所述深N阱层、所述N型重掺杂埋层及所述P型重掺杂层均依次设置于所述芯片本体的内部；本发明通过设置该钳位保护器件的击穿电压和钳位电压，使得在芯片正常工作时不影响表面功能电路正常工作，仅在过压超过最大工作电压一定阈值时触发时并钳位，形成ESD和EOS保护，从而解决了现有技术中单芯片集成ESD和EOS保护会大大增加芯片额外面积的技术问题。

本发明授权一种集成钳位二极管结构及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成钳位二极管结构，其特征在于，包括：芯片本体1、深N阱层9、N型重掺杂埋层10及P型重掺杂硅衬底层15； 所述深N阱层9、所述N型重掺杂埋层10及所述P型重掺杂硅衬底层15均依次设置于所述芯片本体1的内部； 所述芯片本体1的内部依次设置有：轻掺杂硅外延层11、P型重掺杂层16及缓冲外延层14，且所述深N阱层9位于所述轻掺杂硅外延层11内，所述N型重掺杂埋层10位于所述轻掺杂硅外延层11及所述缓冲外延层14之间，所述P型重掺杂层16位于所述缓冲外延层14内； 还包括：第一器件3、第二器件4、第三器件5及第四器件6，所述第一器件3、第二器件4、第三器件5及第四器件6均设置于所述芯片本体1外部的一侧； 第一器件（3）、第三器件（5）及第四器件（6）里均有虚线部分（8），表示加入的P型重掺杂层（16）在有所述N型重掺杂埋层10隔离的第一器件（3）、第三器件（5）及第四器件（6）里面的示意结构，在所述N型重掺杂埋层10里形成虚线部分（8）所示的P型重掺杂区域图形，所述P型重掺杂区域图形与所述N型重掺杂埋层10之间的PN结的边界处于所述N型重掺杂埋层10与所述P型重掺杂层（16）的PN结边界的内部，以消除所述P型重掺杂区域图形与所述N型重掺杂埋层10之间由于PN结边界曲率产生的击穿电压降低的影响，获得接近平面结的钳位二极管稳定击穿电压；同时，第一器件（3）、第三器件（5）及第四器件（6）中形成的3个钳位二极管接到同一个被保护管脚上，形成并联的钳位二极管以增加泄放电流能力。

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