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龙图腾网获悉北京紫光青藤微系统有限公司申请的专利数据输出缓冲器和非挥发性存储器芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420178B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210091477.X，技术领域涉及：G11C7/10；该发明授权数据输出缓冲器和非挥发性存储器芯片是由马继荣设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本数据输出缓冲器和非挥发性存储器芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及数据输出缓冲器技术领域，公开一种数据输出缓冲器，包括寄生对地电容，一端与缓冲电路和比较电路连接，另一端接地；缓冲电路，用于接收待输出数据，根据待输出数据调节寄生对地电容的最大电容电压处于第一预设范围，调节寄生对地电容的最小电容电压处于第二预设范围；比较电路，用于接收参考电压和寄生对地电容的电容电压；将参考电压和电容电压进行比较，根据比较结果输出待输出数据。这样，能够调节寄生对地电容的电容电压幅值，从而改变数据输出缓冲器的数据输出端口的电流大小，使得使用该数据输出缓冲器的非挥发性存储器芯片工作稳定。本申请还公开一种非挥发性存储器芯片。

本发明授权数据输出缓冲器和非挥发性存储器芯片在权利要求书中公布了：1.一种数据输出缓冲器，其特征在于，包括： 寄生对地电容，一端与缓冲电路和比较电路连接，另一端接地； 所述缓冲电路，用于接收待输出数据，根据所述待输出数据调节所述寄生对地电容的最大电容电压处于第一预设范围，调节所述寄生对地电容的最小电容电压处于第二预设范围； 所述比较电路，用于接收参考电压和所述寄生对地电容的电容电压；将所述参考电压和所述电容电压进行比较，根据比较结果输出所述待输出数据； 所述缓冲电路，包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极接收第一电压，所述第一PMOS管的栅极接收待输出数据，所述第一PMOS管的漏极连接第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极接收第二电压，所述第一NMOS管的源极连接第二PMOS管的源极和所述寄生对地电容；所述第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极接收第三电压，所述第二PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极；所述第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极接收待输出数据，所述第二NMOS管的源极接地。

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