本田技研工业株式会社樱井胜俊获国家专利权
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龙图腾网获悉本田技研工业株式会社申请的专利氟化物离子二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792796B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210095644.8，技术领域涉及：H01M4/58；该发明授权氟化物离子二次电池是由樱井胜俊;森田善幸设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本氟化物离子二次电池在说明书摘要公布了：本发明的要解决的问题在于，提供一种氟化物离子二次电池，所述氟化物离子二次电池在室温可以获得高充放电效率。为了解决上述问题，提供一种氟化物离子二次电池，具备：正极材料层，包含Ag；负极材料层，包含CeF3和PbF2中的至少一种；及，固体电解质层，配置在正极材料层与负极材料层之间，并且包含LaF3。还可以具备负极集电器层，所述负极集电器层配置在负极材料层的外侧，当负极材料层包含CeF3时，负极集电器层可以包括碳；而当负极材料层包含PbF2时，负极集电器层可以包括Pb箔。
本发明授权氟化物离子二次电池在权利要求书中公布了：1.一种氟化物离子二次电池，具备： 正极材料层，包含Ag； 负极材料层，包含CeF3和PbF2中的至少一种；及， 固体电解质层，配置在前述正极材料层与前述负极材料层之间，并且包含LaF3，其中 前述正极材料层的膜厚在10nm以上且30nm以下， 前述负极材料层的膜厚在10nm以上且50nm以下， 前述固体电解质层的膜厚为0.1mm～0.5mm， 前述正极材料层的理论容量比前述负极材料层的理论容量小。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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