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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十四研究所申请的专利一种复合互联层及基于其的有源子阵获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464977B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210071811.5，技术领域涉及：H01Q1/00；该发明授权一种复合互联层及基于其的有源子阵是由杨磊;王侃;丁解;孙磊;葛津津;王斌斌设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合互联层及基于其的有源子阵在说明书摘要公布了：本发明公开了一种复合互联层及基于其的有源子阵，所述复合互联层包括微同轴网络层和与之连接的低频网络层；低频连接器和射频连接器设置在低频网络层的下表面，低频信号和射频信号分别通过低频连接器和射频连接器输入后通过低频网络层和微同轴网络层分配，完成热流由微同轴网络层至低频网络层的垂直传递；所述微同轴网络层包括N级共若干个微同轴网络，N为正整数。本发明公开的复合互联层及基于其的有源子阵可实现高隔离、低损耗多端口毫米波信号分配和传输以及控制和供电信号的传输和分配，具有集成度高，重量轻，剖面低，损耗小，导热性能好等优点。

本发明授权一种复合互联层及基于其的有源子阵在权利要求书中公布了：1.一种复合互联层，其特征在于，包括微同轴网络层21和与之连接的低频网络层20；低频连接器4和射频连接器6设置在低频网络层20的下表面，低频信号和射频信号分别通过低频连接器4和射频连接器6输入后通过低频网络层20和微同轴网络层21分配，从而完成热流由微同轴网络层21至低频网络层20的垂直传递；所述微同轴网络层21包括N级共若干个微同轴网络，N为正整数； 所述微同轴网络层21包括第一微同轴网络16和第二微同轴网络8，所述第一微同轴网络16和第二微同轴网络8均包括三个通孔端口，第一微同轴网络16的通孔端口包括位于其下表面的中间通孔端口、位于中间通孔两侧的左侧通孔端口和右侧通孔端口；所述第二微同轴网络8的通孔端口包括两个位于其上表面的通孔端口和一个位于其下表面的通孔端口；N级微同轴网络包括位于其上侧的第N级的个第二微同轴网络8和位于第二微同轴网络8下方的第1级的一个第一微同轴网络16、第2级的两个第一微同轴网络16、...、第n级的个第一微同轴网络16、...和第N-1级的个第二微同轴网络8，n为1到N的正整数；第1至第N-1级的第一微同轴网络16之间通过二叉树型的连接方式进行连接，具体为：第m-2级的第一微同轴网络16的左侧通孔端口和右侧通孔端口分别连接不同的第m-1级的第一微同轴网络16的中间通孔端口，第1级的第一微同轴网络16的中间通孔与射频连接器6连接，第N-1级的第一微同轴网络16的左侧通孔端口和右侧通孔端口分别连接不同的第N级的第二微同轴网络8的下表面的通孔端口，其中，m为3至N的正整数； 微同轴网络层21的材料为硅，低频网络层20的材料为氮化铝或氧化铝，微同轴网络层21和低频网络层20之间使用大面积焊接的方式进行连接； 所述低频网络层20的上表面设置有空腔17，所述空腔17放置用于连接微同轴网络的放大芯片14或金丝；微同轴网络层21和低频网络层20通过焊接面15焊接后实现空腔17为气密环境。

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