台湾积体电路制造股份有限公司訾安仁获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114721218B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210037764.2，技术领域涉及：G03F1/56；该发明授权制造半导体装置的方法是由訾安仁;张庆裕设计研发完成，并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：制造半导体装置的方法包括形成光阻剂结构，包括在基板上形成包括光阻剂组成物的光阻剂层。形成光阻剂层之后，以添加剂处理光阻剂层。添加剂选自由自由基抑制剂、热自由基抑制剂和光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。
本发明授权制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括： 形成一光阻剂结构，包括在一基板上形成包括一光阻剂组成物的一光阻剂层； 选择性地曝露该光阻剂层于光化辐射； 在选择性地曝露该光阻剂层于该光化辐射之后，以一添加剂处理该光阻剂层， 其中以该添加剂处理该光阻剂层包括： 形成包括一顶层组成物的一顶层在选择性地曝露的该光阻剂层的曝露部分及非曝露部分上，其中该顶层组成物包括该添加剂，该添加剂是一个或多个自由基抑制剂；以及 加热该顶层以从该顶层扩散该添加剂到该光阻剂层；以及 在以该添加剂处理该光阻剂层之后，显影该光阻剂层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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