长鑫存储技术有限公司吴玉雷获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储阵列、存储单元及其数据读写方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116312669B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111564800.2，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权存储阵列、存储单元及其数据读写方法是由吴玉雷;王晓光设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储阵列、存储单元及其数据读写方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种存储阵列、存储单元及其数据读写方法，通过在MRAM的存储阵列中的每个存储单元中设置两个存储节点，使得存储单元中一个存储节点失效时，还可以使用该存储单元另一个存储节点进行写入数据和读取数据，从而延长了存储单元的耐久力和保持力，进而提高了存储单元的使用寿命，增加MRAM的稳定性。
本发明授权存储阵列、存储单元及其数据读写方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 第一存储节点，所述第一存储节点分别与晶体管的第一端和第一位线连接； 第二存储节点，所述第二存储节点分别与所述晶体管的第一端和第二位线连接； 所述晶体管，所述晶体管的第二端连接源极线，所述晶体管的第三端连接字线； 控制器，所述控制器用于控制存储单元，选择存储单元中的存储节点进行数据写入或者读取操作，具体为：在进行数据写入或读取操作时，首先确定存储单元的两个存储节点中的一个，再对所确定的存储节点进行数据写入或读取操作，使得存储单元中的一个存储节点失效时，控制器还可以控制该存储单元的另一个存储节点进行数据写入或读取。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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