杭州芯迈半导体技术有限公司孙鹤获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州芯迈半导体技术有限公司申请的专利金属氧化物半导体器件与其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111427488.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权金属氧化物半导体器件与其制作方法是由孙鹤;王加坤设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属氧化物半导体器件与其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种金属氧化物半导体器件与其制作方法。金属氧化物半导体器件包括：半导体基体、场氧化层、第一JFET注入区与第二JFET注入区。半导体基体上表面定义有源区与多个栅极区，每一有源区被多个栅极区环绕，并且多个栅极区是互相交错而形成重叠的栅极交汇区。场氧化层局部地覆盖栅极交汇区。第一JFET注入区是通过注入离子至半导体基体的上表面所形成，并且位于栅极交汇区，其中，第一JFET注入区是环绕场氧化层在栅极交汇区的投影区的配置。第二JFET注入区是通过注入离子至半导体基体的上表面所形成，并且位于多个栅极区中。本发明提升击穿电压，进而提升了器件在栅极交汇区的对角方向上的耐压性能，改善器件的稳定性。
本发明授权金属氧化物半导体器件与其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括： 半导体基体，其上表面定义有源区与多个栅极区，每一所述有源区被所述多个栅极区环绕，并且所述多个栅极区是互相交错而形成重叠的栅极交汇区； 场氧化层，局部地覆盖所述栅极交汇区； 第一JFET注入区，通过注入离子至所述半导体基体的上表面所形成，并且位于所述栅极交汇区，其中，所述第一JFET注入区是环绕所述场氧化层在所述栅极交汇区的投影区的配置；以及 第二JFET注入区，通过注入离子至所述半导体基体的上表面所形成，并且位于所述多个栅极区中。
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