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龙图腾网获悉中电智能卡有限责任公司申请的专利一种高可靠性非接触引线框架获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023715B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111306933.X，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权一种高可靠性非接触引线框架是由周峥;张刚;江永;印泽庆;张致伟设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠性非接触引线框架在说明书摘要公布了：本申请属于智能卡封装技术领域，特别涉及一种新型高可靠性非接触引线框架。非接触引线框架包括载带，载带包括芯片承载区域及多个芯片焊线区域，芯片焊线区域位于芯片承载区域的四周，芯片承载区域上布置有若干密集分布的凹坑，且芯片承载区域的布置凹坑的区域尺寸大于芯片承载区域上粘接的芯片的尺寸，芯片承载区域及芯片焊线区域在两者相对的边上均间隔设置有成对的多组收缩口，以使得芯片承载区域的内沿与芯片焊线区域的外沿在所述收缩口处的间距变大。本申请提高了冲压时载带的耐受力，保证了非接触载带的表面平整度，增加了芯片粘接强度以及模块剥离强度，使封装模块的机械性能更强，性能更加稳定可靠。

本发明授权一种高可靠性非接触引线框架在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性非接触引线框架，所述非接触引线框架包括载带，所述载带包括芯片承载区域1及多个芯片焊线区域2，所述芯片焊线区域2位于所述芯片承载区域1的四周，其特征在于，所述芯片承载区域1上布置有若干密集分布的凹坑3，且所述芯片承载区域1的布置凹坑3的区域尺寸大于所述芯片承载区域1上粘接的芯片的尺寸，所述芯片承载区域1及所述芯片焊线区域2在两者相对的边上均间隔设置有成对的多组收缩口4，以使得所述芯片承载区域1的内沿与所述芯片焊线区域2的外沿在所述收缩口处的间距变大； 其中，所述芯片焊线区域2包括上半部分与下半部分，所述芯片焊线区域2的上半部分的内沿为半弧形线条，半弧形线条正对所述芯片承载区域1的上横边及位于上横边两侧的竖边的至少一部分，对应的，所述芯片焊线区域2的下半部分的内沿为半弧形线条，半弧形线条正对所述芯片承载区域1的下横边及位于下横边两侧的竖边的至少一部分，所述芯片承载区域1上半部分与下半部分各自包括三个收缩口4，其中一个收缩口位于所述芯片承载区域1的上横边或下横边中心，另外两个收缩口位于上横边或下横边的两端。

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