成都汇通西电电子有限公司阴伏星获国家专利权
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龙图腾网获悉成都汇通西电电子有限公司申请的专利一种高频传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113866772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111289770.9，技术领域涉及：G01S15/08；该发明授权一种高频传感器及其制作方法是由阴伏星;李佳;张博;蔡东;孙云锴设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高频传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器技术领域，特别是一种高频传感器及其制作方法，包括第一匹配层、PCB电路板、压电陶瓷片和第二匹配层设置于壳体内，第一匹配层的一面与壳体的上底面相连，第一匹配层的另一面与PCB电路板的一面相连，并且PCB电路板的另一面与压电陶瓷片的一面相连，压电陶瓷片的另一面与第二匹配层相连，第二匹配层的另一面用于向外传输超声波信号，还包括减振胶水层，减振胶水层设置于第二匹配层的外侧，并且减振胶水层上设置有弧线结构。本发明还保护了一种制作上述带有弧形结构的传感器的方法。弧形结构的设计可以使产品本身的发射声压和接受灵敏度不受壳体壁强迫夹制的影响。弧形结构的制作易于实现，工艺简单，成本低，耗时少。
本发明授权一种高频传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高频传感器，包括壳体、第一匹配层、PCB电路板、压电陶瓷片和第二匹配层，所述第一匹配层、PCB电路板、压电陶瓷片和第二匹配层设置于所述壳体内，其特征在于，所述第一匹配层的一面与所述壳体的上底面相连，所述第一匹配层的另一面与所述PCB电路板的一面相连，并且PCB电路板的另一面与所述压电陶瓷片的一面相连，所述压电陶瓷片的另一面与所述第二匹配层相连，所述第二匹配层的另一面用于向外传输超声波信号， 还包括减振胶水层，所述减振胶水层设置于所述第二匹配层的外侧，并且所述减振胶水层上设置有弧形结构，所述弧形结构为设置在减振胶水层表面的凹槽，弧形两端点之间的距离大于传感器输出超声波信号的1个波长； 所述壳体的外部呈台阶状，所述台阶状将壳体分为垂直面和水平面，在垂直面和水平面连接处设置有卡槽结构，卡槽结构使所述垂直面向所述壳体内凹陷。
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