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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203325B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111194615.9，技术领域涉及：G21H1/06；该发明授权一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元的制备方法是由吴巍炜;张永峰;胡文文;张劲松;徐盼;周春林;杨毓枢;王旭设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术与核科学技术领域，具体涉及一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元的制备方法，通过两步水热法在基底上生长n型β‑Ga2O3织构膜，然后高温退火后与石墨烯或碳纳米管或金属TiAu膜顶电极组装得到Ga2O3基肖特基二极管单元；最后在Ga2O3基肖特基二极管单元上贴附超薄63Ni辐射源薄膜得到宽禁带氧化物肖特基结β辐射伏特核电池，制备的β辐射伏特核电池为深空、深海、极地等极端恶劣环境提供能够不依赖外界输入能量持续供电的可靠电源；通过掺杂金属元素实现宽禁带半导体能带结构控制，通过使用表面活性剂进行宽禁带半导体生长形态调控，实现宽禁带半导体的生长形态调控及能带结构控制。

本发明授权一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元的制备方法，其特征在于具体工艺为：首先通过两步水热法在基底上生长n型β-Ga2O3织构膜，然后高温退火后与石墨烯或碳纳米管或金属NiAu膜顶电极组装得到Ga2O3基肖特基二极管单元；最后在Ga2O3基肖特基二极管单元上贴附超薄63Ni辐射源薄膜得到宽禁带氧化物肖特基结β辐射伏特核电池； 步骤a、在FTO基底上使用硝酸镓作为镓源通过两步法水热生长n型Ga2O3织构薄膜，其中第一步水热生长使用乙醇和去离子水的混溶液作为溶剂生长Ga2O3种子层,第二步使用水溶液生长Ga2O3织构膜,两步水热生长结束后进行高温退火得到n型β-Ga2O3织构膜； 步骤b、在n型β-Ga2O3织构膜表面通过漂浮转移覆盖石墨烯顶电极或通过电子束热蒸镀金属NiAu膜顶电极或通过L-B膜法构建碳纳米管薄膜顶电极,得到Ga2O3基肖特基二极管单元; 步骤c、将得到Ga2O3基肖特基二极管单元与基于电镀法制备的自支撑超薄63Ni辐射源薄膜通过漂浮转移贴附，贴附结束后将样品自然干燥并烘烤，烘烤结束后将样品取下自然冷却至室温，得到宽禁带氧化物肖特基结β辐射伏特核电池； 步骤具体说明如下： 步骤a、通过水热法在FTO基底上生长n型β-Ga2O3织构薄膜： （1）、使用丙酮、乙醇、去离子水依次进行清洗FTO基片，清洗干净后烘干备用； （2）、将体积比为1:1的乙醇和去离子水充分混合，然后加入Ga2NO36·nH2O充分搅拌混合后形成浓度为1molL的Ga2NO36·nH2O乙醇水溶液； （3）、将清洗干净的FTO基片倾斜放入10ml规格反应釜后，向反应釜中加入8mlGa2NO36·nH2O乙醇水溶液，其中FTO面朝下； （4）、密闭下反应釜在90-100℃下反应1-2h，反应结束后自然冷却至室温后，将反应釜内胆中的溶液去除； （5）、在去离子水中加入Ga2NO36·nH2O充分搅拌溶解形成浓度为1molL的Ga2NO36·nH2O水溶液，加8ml进入步骤（4）的反应釜中，密闭下反应釜在140-170℃下反应24-36h，反应结束后自然冷却至室温，得到生长有Ga2O3织构膜的FTO基片； （6）、将生长有Ga2O3织构膜的FTO基片放入高温炉中在550-850℃下退火12-18h，FTO基底上得到的结构致密的n型β-Ga2O3织构膜； 步骤b、β-Ga2O3织构膜与石墨烯顶电极组装得到Ga2O3基肖特基二极管单元； （1）、采用CVD方法在Cu箔表面生长单晶石墨烯，然后在石墨烯上覆盖PMMA薄膜，随后放入3molL三氯化铁FeCl3溶液中刻蚀30−60min使Cu完全去除，使PMMA保护的石墨烯薄膜漂浮在溶液表面待用； （2）、用β-Ga2O3织构膜的FTO基底将PMMA保护的石墨烯薄膜轻轻拖出移至去离子水中，使其保持漂浮状态，浸泡30-60min去除干净三氯化铁后在真空状态下40-100℃烘干2-4小时使石墨烯薄膜紧紧贴附Ga2O3织构膜，得到Ga2O3基肖特基二极管单元； 步骤c、贴附20-23um厚的基于电镀法制备的自支撑超薄63Ni辐射源薄膜，贴附结束后将样品在真空烘箱中40-100℃烘干2-4小时后将样品取下自然冷却至室温，得到宽禁带氧化物肖特基结β辐射伏特核电池。

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