杭州电子科技大学苏昆朋获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156030B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111126735.5，技术领域涉及：H01F1/047；该发明授权一种高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金及其制备方法是由苏昆朋;商启香;霍德璇;王海欧;黄帅设计研发完成，并于2021-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了提供了一种高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金，所述高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金的名义分子式为Mn50+xAl50‑x‑yMy，其中x＝0～3，y＝1～3，M为Zn或W。本发明的高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金不仅具有优异的机械加工性能和良好的耐腐蚀性能，并且价格低廉，制备工艺简单，不需要用复杂的磁场处理。本发明还提供了一种高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金制备方法，通过调控掺杂元素与热处理工艺实现了矫顽力温度系数由负转为正值，工艺简单便捷，生产成本较低，便于实际的生产与推广。
本发明授权一种高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金，其特征在于，所述高矫顽力无稀土MnAlM永磁合金的名义分子式为Mn50+xAl50-x-yMy，其中x＝0～3，y＝1～3，M为Zn或W； 所述合金包括采用高真空高温淬火工艺获得具有反铁磁性的高温γ相，淬火过程中合金冷却速度变慢生成磁性τ相；反铁磁γ相把磁性τ相晶粒分割开来； 反铁磁性γ相和铁磁性τ相晶粒之间发生交换耦合产生交换偏置现象。
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