中国电子科技集团公司第五十五研究所李杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种高选择性掺钪氮化铝湿法刻蚀工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113991009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111116133.1，技术领域涉及：H10N30/85；该发明授权一种高选择性掺钪氮化铝湿法刻蚀工艺方法是由李杰;姜理利;王雷;陈聪;黄旼;郁元卫设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高选择性掺钪氮化铝湿法刻蚀工艺方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高选择性掺钪氮化铝湿法刻蚀工艺方法。包括（1）准备衬底晶圆，在衬底上依次沉积，种子层、掺钪氮化铝压电层、介质层，形成多层复合膜结构；（2）采用湿法工艺对介质层进行刻蚀，实现压电层的图形化掩蔽；（3）利用湿法腐蚀溶液对所述AlScN压电层进行腐蚀，获得含有钪基团的残留刻蚀表面；（4）采用湿法微蚀工艺，对刻蚀后的AlScN表面状态进行修正，获得满足要求的刻蚀形貌。本发明提供了一种湿法刻蚀AlScN的工艺方法，可有效降低现有工艺中严重侧刻蚀现象、以及含钪基团的残留问题；利用湿法刻蚀对材料高选择性的特性，避免现有干法刻蚀AlScN工艺对下层材料的过刻蚀现象；同时该工艺方法可以有效地降低工艺成本，提高产能及效率。
本发明授权一种高选择性掺钪氮化铝湿法刻蚀工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种高选择性掺钪氮化铝湿法刻蚀工艺方法，其特征是包括以下步骤： S1、准备衬底晶圆，在衬底（1）上依次沉积种子层（2）、掺钪氮化铝压电层（3）、介质层（4），形成多层复合膜结构； S2、采用湿法工艺对介质层（4）进行刻蚀，实现掺钪氮化铝压电层（3）的图形化掩蔽； S3、利用湿法腐蚀溶液对所述的掺钪氮化铝压电层（3）进行腐蚀，获得含有钪基团的残留刻蚀表面； S4、采用湿法药水对刻蚀后的掺钪氮化铝压电层（3）的表面状态进行修正，获得满足要求的刻蚀形貌； 所述步骤S2中，湿法工艺所用药水为BOE药水； 所述步骤S3中，湿法腐蚀溶液为NaOH或KOH，添加醇类缓冲剂； 所述步骤S4中，湿法药水所用腐蚀液为硝酸、盐酸、硫酸中的一种与络合剂的互溶液。
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