长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院邵光速获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732325B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111007272.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由邵光速;肖德元;韩清华;邱云松;白卫平设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法，包括：提供基底；其中，所述基底包括依次形成的衬底、第一半导体层和第二半导体层；在所述基底中形成间隔分布的第一隔离结构和第二隔离结构；其中，相邻两个所述第一隔离结构之间包括在所述第二半导体层中形成的源极层和在所述衬底中形成的漏极层，所述第一隔离结构的延伸方向为第一方向，所述第二隔离结构的延伸方向为第二方向；在所述第一半导体层中形成沟道层，所述沟道层与相邻的两个所述第一隔离结构之间具有延伸方向与所述第一方向相同的通孔；在所述通孔内形成栅极结构。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于， 所述方法包括： 提供基底；其中，所述基底包括依次形成的衬底、第一半导体层和第二半导体层； 在所述基底中形成间隔分布的第一隔离结构和第二隔离结构；其中，相邻两个所述第一隔离结构之间包括在所述第二半导体层中形成的源极层和在所述衬底中形成的漏极层，所述第一隔离结构的延伸方向为第一方向，所述第二隔离结构的延伸方向为第二方向，所述第一隔离结构贯穿所述第一半导体层和所述第二半导体层，并部分延伸至所述衬底中，所述第二隔离结构位于所述衬底中； 在所述第一半导体层中形成沟道层，所述沟道层与相邻的两个所述第一隔离结构之间具有延伸方向与所述第一方向相同的通孔； 在所述通孔内形成栅极结构。
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