奥趋光电技术(杭州)有限公司吴亮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉奥趋光电技术(杭州)有限公司申请的专利一种高频高性能SAW器件用碳化硅基AlScN模板及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871289B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110971256.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种高频高性能SAW器件用碳化硅基AlScN模板及制备方法是由吴亮;付丹扬;王琦琨;龚建超设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高频高性能SAW器件用碳化硅基AlScN模板及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高频高性能SAW器件用碳化硅基AlScN模板，该碳化硅基AlScN模板为多层结构，以单晶碳化硅为衬底，在碳化硅的抛光面上依次生长SiO2层、金属钝化层、AlN种子层、低浓度Sc掺杂的AlScN层以及高浓度Sc掺杂的AlScN层。采用本发明的制备方法，可以制备高结晶质量、高相速度、低表面粗糙度、高温度稳定性、高Sc浓度的AlScN薄膜。碳化硅衬底提供较高的相速度；SiO2层弥补高Sc浓度AlScN薄膜温度稳定差的弊端；AlN种子层，与AlScN晶格失配小提高结晶质量；低Sc浓度AlScN层，避免Sc元素提前析出，降低晶格失配；高Sc浓度AlScN层提供良好的压电性能。采用该多层结构能够更好地适用于基于体声波、声表面波器件的应用。
本发明授权一种高频高性能SAW器件用碳化硅基AlScN模板及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高频高性能SAW器件用碳化硅基AlScN模板，其特征在于：所述碳化硅基AlScN模板为多层结构，以单晶碳化硅为衬底，在碳化硅的抛光面上依次生长有SiO2层、金属钝化层、AlN种子层、低浓度Sc掺杂的AlScN层以及高浓度Sc掺杂的AlScN层； 其中：所述低浓度Sc掺杂的AlScN层化学式为Al1-xScxN，其中x≤0.3；所述高浓度Sc掺杂的AlScN层化学式为Al1-yScyN，其中0.3≤y≤0.6。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人奥趋光电技术(杭州)有限公司，其通讯地址为：311100 浙江省杭州市余杭区余杭经济技术开发区顺风路503号3号楼五层518室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号