长鑫存储技术有限公司吴小飞获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115708203B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110952918.6，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权半导体结构及其制备方法是由吴小飞设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，解决晶圆验收测试时，测试探针易污染甚至测试探针损坏的技术问题，该半导体结构包括基底、设置在基底上的介质层以及设置在介质层上的重布线层；基底包括切割道区，切割道区对应的基底上设有焊盘，介质层具有设置在焊盘上的凸块和设置在凸块外周的第一开口，且第一开口暴露部分焊盘；重布线层具有填充在第一开口内以及设置在凸块上的延伸部，延伸部与焊盘电连接，测试探针与凸块上的延伸部的上表面抵接，便可实现对晶圆的验收测试，可避免测试探针易污染甚至损坏的问题，提高了测试探针的工作可靠性，延长了测试探针的使用寿命。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底、设置在所述基底上的介质层以及设置在所述介质层上的重布线层； 所述基底包括切割道区，所述切割道区对应的所述基底中设有焊盘，所述介质层具有设置在所述焊盘上的凸块和设置在所述凸块外周的第一开口，且所述第一开口暴露部分所述焊盘； 所述重布线层具有填充在所述第一开口内以及设置在所述凸块上的延伸部，所述延伸部与所述焊盘电连接； 其中，所述凸块的顶面与所述介质层的上表面平齐，所述凸块和所述介质层由一次构图工艺形成。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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