台湾积体电路制造股份有限公司黄冠育获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110936175.3，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权封装件及制造方法是由黄冠育;黄松辉;侯上勇;许书嘉;黄裕允;张文耀;郑育真设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装件及制造方法在说明书摘要公布了：在实施例中，中介层具有：第一侧；第一集成电路器件，通过第一组导电连接件附接至中介层的第一侧，第一组导电连接件中的每个均具有第一高度；第一管芯封装件，通过第二组导电连接件附接至中介层的第一侧，第二组导电连接件包括第一导电连接件和第二导电连接件，第一导电连接件具有第二高度，第二导电连接件具有第三高度，第三高度不同于第二高度；第一伪导电连接件，位于中介层的第一侧和第一管芯封装件之间；底部填充物，设置在第一集成电路器件和第一管芯封装件下方；以及密封剂，设置在第一集成电路器件和第一管芯封装件周围。本申请的实施例涉及封装件及制造方法。
本发明授权封装件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种封装件，包括： 中介层，具有第一侧； 第一集成电路器件，通过第一组导电连接件附接至所述中介层的第一侧，所述第一组导电连接件中的每个均具有第一高度； 第一管芯封装件，通过第二组导电连接件附接至所述中介层的第一侧，所述第二组导电连接件包括第一导电连接件和第二导电连接件，所述第一导电连接件具有第二高度，所述第二导电连接件具有第三高度，所述第三高度不同于所述第二高度； 第一伪导电连接件，位于所述中介层的第一侧和所述第一管芯封装件之间，所述第一伪导电连接件位于所述第一导电连接件和所述第二导电连接件之间； 底部填充物，设置在所述第一集成电路器件和所述第一管芯封装件下方；以及 密封剂，设置在所述第一集成电路器件和所述第一管芯封装件周围。
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