长鑫存储技术有限公司穆克军获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706056B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110936471.3，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权半导体结构及其制备方法是由穆克军设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括第一钝化层及叠层结构；叠层结构位于第一钝化层的上表面，包括由下至上依次叠置的第二钝化层及吸氢层；其中第二钝化层形成过程中产生氢元素，吸氢层吸附第二钝化层形成过程中和或后续钝化热处理过程中产生的氢元素。本申请中的半导体结构通过吸氢层吸附第二钝化层形成过程中和或后续钝化热处理过程中产生的氢元素，避免由于氢元素进入器件界面形成大量不稳定的共价键，而导致的负偏压温度不稳定问题，提高半导体结构性能的稳定性和可靠性。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 第一钝化层； 叠层结构，位于所述第一钝化层的上表面，包括由下至上依次叠置的第二钝化层及吸氢层；其中， 所述第二钝化层形成过程中产生氢元素； 所述吸氢层吸附所述第二钝化层形成过程中和或后续钝化热处理过程中产生的所述氢元素； 所述叠层结构的底层及顶层均为所述第二钝化层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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