长鑫存储技术有限公司李宗翰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110935666.6，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体结构及其制造方法是由李宗翰;刘志拯设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：半导体衬底；第一金属层，位于所述半导体衬底表面；第二金属层，位于所述第一金属层表面的上方；绝缘层，位于所述第一金属层和所述第二金属层之间，用于隔离所述第一金属层和第二金属层；至少四个通孔，位于所述绝缘层中，所述至少四个通孔中具有用于连接所述第一金属层和所述第二金属层的导电材料。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体衬底； 第一金属层，位于所述半导体衬底表面； 第二金属层，位于所述第一金属层表面的上方； 绝缘层，位于所述第一金属层和所述第二金属层之间，用于隔离所述第一金属层和第二金属层； 至少四个通孔，位于所述绝缘层中，所述至少四个通孔中具有用于连接所述第一金属层和所述第二金属层的导电材料； 其中，所述第一金属层包括：沿第一方向平行分布的多条底层金属线； 所述第二金属层包括：沿第二方向平行分布的多条顶层金属线；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向； 其中，所述至少四个通孔包括四个测试通孔；连接有所述测试通孔的两条顶层金属线之间具有一条间隔的顶层金属线；且连接有所述测试通孔的两条底层金属线之间具有一条间隔的底层金属线； 所述至少四个通孔中还包括至少一对辅助通孔，其中，所述至少一对辅助通孔连接在所述间隔的顶层金属线或间隔的底层金属线上，且一对所述辅助通孔的间距大于任意两个所述测试通孔的间距。
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