长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110898158.5，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由刘志拯设计研发完成，并于2021-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体结构，包括：衬底以及位于所述衬底内的通孔；导电柱，位于所述通孔内，所述导电柱中具有从所述导电柱的上表面往内部延伸的凹槽；芯层，位于所述凹槽内；其中，所述芯层的杨氏模量小于所述导电柱的杨氏模量。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底以及位于所述衬底内的通孔； 导电柱，位于所述通孔内，所述导电柱中具有从所述导电柱的上表面往内部延伸的凹槽； 芯层，位于所述凹槽内；其中，所述芯层的杨氏模量小于所述导电柱的杨氏模量； 其中，所述半导体结构还包括位于所述衬底和所述导电柱之间的至少一层缓冲层，所述缓冲层的杨氏模量小于所述衬底的杨氏模量； 其中，所述缓冲层的材料与所述芯层的材料相同。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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