长鑫存储技术有限公司钱大憨获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115701654B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110881714.8，技术领域涉及：H01L23/532；该发明授权半导体结构及其制作方法是由钱大憨;张杰;黄娟娟;白杰设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：掺杂导电层，所述掺杂导电层内掺杂有掺杂离子；金属导电层，位于所述掺杂导电层上；含氮介质层，位于所述金属导电层上；第一氮钼化物层，位于所述掺杂导电层和所述金属导电层之间，用于电连接所述掺杂导电层和所述金属导电层；第二氮钼化物层，位于所述金属导电层和所述含氮介质层之间，所述第二氮钼化物层中氮原子的原子数占比大于所述第一氮钼化物层中氮原子的原子数占比。本发明实施例有利于提升金属导电层的导电性能。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 掺杂导电层，所述掺杂导电层内掺杂有掺杂离子； 金属导电层，位于所述掺杂导电层上； 含氮介质层，位于所述金属导电层上； 第一氮钼化物层，位于所述掺杂导电层和所述金属导电层之间，用于电连接所述掺杂导电层和所述金属导电层； 第二氮钼化物层，位于所述金属导电层和所述含氮介质层之间，所述第二氮钼化物层中氮原子的原子数占比大于所述第一氮钼化物层中氮原子的原子数占比。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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