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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利多电压域装置和栅极驱动器集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948492B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110800159.1，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权多电压域装置和栅极驱动器集成电路是由马西莫·格拉索设计研发完成，并于2021-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本多电压域装置和栅极驱动器集成电路在说明书摘要公布了：本发明公开了多电压域装置和栅极驱动器集成电路。多电压域装置包括半导体层，该半导体层包括第一电压域、第二电压域和在横向方向上电隔离第一电压域和第二电压域的隔离区域。隔离区域至少包括一个深沟槽隔离势垒。层堆叠布置在半导体层上，并且包括：堆叠绝缘体层；第一线圈，其布置在堆叠绝缘体层中；以及第二线圈，其布置在堆叠绝缘体层中并在横向方向上与第一线圈横向分离。第一线圈和第二线圈在横向方向上彼此磁耦合。第一线圈包括垂直布置在第一区域上方并且电耦接至第一电压域的端子，并且第二线圈包括垂直布置在第二区域上方并且电耦接至第二电压域的端子。

本发明授权多电压域装置和栅极驱动器集成电路在权利要求书中公布了：1.一种多电压域装置，包括： 半导体层，其包括第一主表面和与所述第一主表面相对布置的第二主表面，其中，所述半导体层包括： 第一区域，其包括在第一电压域中操作的第一电路， 第二区域，其包括在不同于所述第一电压域的第二电压域中操作的第二电路，以及 隔离区域，其在平行于所述第一主表面和所述第二主表面延伸的横向方向上将所述第一区域和所述第二区域电隔离， 其中，所述隔离区域至少包括一个深沟槽隔离势垒，所述深沟槽隔离势垒中的每个深沟槽隔离势垒从所述第一主表面垂直延伸到所述第二主表面；以及 层堆叠，其布置在所述半导体层的第一主表面上，所述层堆叠包括：多个子绝缘体层，其形成堆叠绝缘体层；第一线圈，其布置在所述堆叠绝缘体层中；以及第二线圈，其布置在所述堆叠绝缘体层中并且通过所述堆叠绝缘体层在所述横向方向上与所述第一线圈横向分离， 其中，所述第一线圈和所述第二线圈在所述横向方向上彼此磁耦合， 其中，所述第一线圈至少包括垂直布置在所述第一区域上方并且电耦接至所述第一电路的两个第一端子，并且 其中，所述第二线圈至少包括垂直布置在所述第二区域上方并且电耦接至所述第二电路的两个第二端子。

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