安波福技术有限公司B·F·坎普斯拉加获国家专利权
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龙图腾网获悉安波福技术有限公司申请的专利用于模拟来自天线结构的近场效应的点源模型获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113901634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110766504.4，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权用于模拟来自天线结构的近场效应的点源模型是由B·F·坎普斯拉加设计研发完成，并于2021-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于模拟来自天线结构的近场效应的点源模型在说明书摘要公布了：本文档描述了生成点源模型以用于模拟来自天线结构的近场效应的技术和系统。该技术和系统基于从电磁模拟中提取的近场值，生成天线阵列的有源元件以及在某些情况下无源元件的相应远场辐射图案。远场辐射图案考虑了有源元件和天线结构之间的电磁相互作用，天线结构可以包括天线阵列的无源元件。该技术和系统输出远场辐射图案，该远场辐射图案对于使用渐近数值方法模拟天线阵列和至少一个相互作用结构之间的电磁相互作用是有效的。使用所描述的点源模型，工程师能够针对天线阵列的各种配置和应用快速且准确地模拟天线阵列与相互作用结构之间的电磁相互作用。
本发明授权用于模拟来自天线结构的近场效应的点源模型在权利要求书中公布了：1.一种用于生成天线阵列的点源模型的方法，包括： 生成源模型，所述源模型对所述天线阵列的至少两个有源元件和所述天线阵列的天线结构进行建模，所述天线结构包括至少两个无源元件、以及以下各项中的至少一项：所述天线阵列的表面、所述天线阵列的电路板、所述天线阵列的接地平面、所述天线阵列的天线罩、所述天线阵列的外壳； 模拟由所述有源元件辐射到空间中的电磁辐射场，所述模拟是基于在所述电磁辐射场内某一位置处建模的所述天线结构； 基于所述电磁辐射场与所述天线结构的相互作用，为每个所述有源元件和每个所述无源元件提取至少七个近场值； 为每个所述有源元件和每个所述无源元件分别生成远场辐射图案，所述生成是基于对相应有源元件和相应无源元件的所述近场值的近场到远场变换；以及 输出所述有源元件和所述无源元件的所述远场辐射图案，所述远场辐射图案对于使用渐近数值方法模拟所述天线阵列与至少一个相互作用结构之间的电磁相互作用是有效的，所述渐近数值方法将所述远场辐射图案模拟为射线或射线场。
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