买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉立锜科技股份有限公司申请的专利高压元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241289B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110441206.8，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权高压元件及其制造方法是由邱国卿;邱建维设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件用于切换式电源供应电路的功率级中，用以作为下桥开关。高压元件包含至少一横向扩散金属氧化物半导体元件、第一隔绝区、第二隔绝区、第三隔绝区以及限流元件。其中第一隔绝区于半导体层中，环绕横向扩散金属氧化物半导体元件。其中第二隔绝区，具有第一导电型，于半导体层中，环绕第一隔绝区。其中第三隔绝区，具有第二导电型，于半导体层中，环绕第二隔绝区。其中限流元件电连接于第二隔绝区，用以抑制寄生硅控整流器导通。

本发明授权高压元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高压元件，用于一切换式电源供应电路的一功率级中，用以作为一下桥开关，包含： 至少一横向扩散金属氧化物半导体元件，其包括： 一阱区，具有一第一导电型，形成于一半导体层中； 一本体区，具有一第二导电型，形成于该阱区中； 一栅极，形成于该本体区上方并连接于该本体区；以及 一源极与一漏极，具有该第一导电型，该源极与该漏极分别位于该栅极的外部不同侧下方的该本体区中与该阱区中； 一第一隔绝区，具有该第二导电型，于该半导体层中，环绕该横向扩散金属氧化物半导体元件； 一第二隔绝区，具有该第一导电型，于该半导体层中，环绕该第一隔绝区； 一第三隔绝区，具有该第二导电型，于该半导体层中，环绕该第二隔绝区；以及 一限流元件，电连接于该第二隔绝区，用以抑制一寄生硅控整流器导通； 其中，该源极与该本体区一边界间的该栅极正下方的部分该本体区定义一反转区，用以作为该横向扩散金属氧化物半导体元件在一导通操作中的一反转电流通道； 其中，该本体区与该漏极之间的部分该阱区定义一漂移区，用以作为该横向扩散金属氧化物半导体元件在该导通操作中的一漂移电流通道； 其中，当该限流元件包括一肖特基势垒二极管，该肖特基势垒二极管包括： 一肖特基金属单元，形成于该第二隔绝区上；以及 一肖特基半导体单元，形成于该第二隔绝区中，其中该肖特基半导体单元与该肖特基金属单元形成肖特基接触，且部分该第二隔绝区用以作为该肖特基半导体单元； 其中，该第二隔绝区从俯视图视之为一环型区域，且该环型区域中最靠近该功率级中的一上桥开关的一部分区域，用以作为该肖特基半导体单元。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人立锜科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹县竹北市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。