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龙图腾网获悉中冶赛迪工程技术股份有限公司;中冶赛迪技术研究中心有限公司申请的专利一种基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112908955B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110302829.7，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块是由张豫川;钟星立;龙海洋设计研发完成，并于2021-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块，集电极金属层和发射极金属层之间IGBT子模块包括从上到下依次压接的集电极梯度功能复合材料层、IGBT功率芯片、发射极梯度功能复合材料层、铜底座和栅极PCB板，压接后的IGBT子模块外套装封装外壳支架，压接后发射极梯度功能复合材料层和铜底座的缺口内放置有栅极弹簧顶针，集电极梯度功能复合材料层与集电极金属层和IGBT功率芯片集电极表面以及发射极梯度功能复合材料层与IGBT功率芯片的发射极表面和铜底座的热膨胀系数相匹配，解决现有压接型IGBT功率模块中IGBT功率芯片与封装材料组件间热膨胀系数不匹配导致组件界面电热接触性能下降、散热效率降低、器件使用寿命缩短的问题。

本发明授权一种基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块在权利要求书中公布了：1.一种基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块，其特征在于，包括同轴设置的集电极金属层和发射极金属层，集电极金属层和发射极金属层之间压接有IGBT子模块，IGBT子模块包括从上到下依次压接的集电极梯度功能复合材料层、IGBT功率芯片、发射极梯度功能复合材料层、铜底座和栅极PCB板，发射极梯度功能复合材料层和铜底座形状均为带缺口的长方体，压接后的IGBT子模块外套装封装外壳支架，压接后发射极梯度功能复合材料层和铜底座的缺口内放置栅极弹簧顶针，集电极梯度功能复合材料层分别与集电极金属层和IGBT功率芯片集电极表面的热膨胀系数相匹配，发射极梯度功能复合材料层分别与IGBT功率芯片的发射极表面和铜底座的热膨胀系数相匹配； 集电极梯度功能复合材料层与IGBT功率芯片集电极表面接触一侧材料硬度相同；发射极梯度功能复合材料层与IGBT功率芯片的发射极表面接触一侧材料硬度相同； 集电极梯度功能复合材料层分别与集电极金属层和IGBT功率芯片集电极表面的热膨胀系数差值在5％以内；发射极梯度功能复合材料层分别与IGBT功率芯片的发射极表面和铜底座的热膨胀系数差值在5％以内。

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