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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利包括平行导电层的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110259268.7，技术领域涉及：H01L23/482；该发明授权包括平行导电层的半导体装置是由P·帕尔姆;R·费勒;J·霍格劳尔;A·凯斯勒设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括平行导电层的半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括半导体芯片，所述半导体芯片在第一芯片主表面上包括第一芯片接触焊盘。所述半导体装置还包括第一导电层，其布置在第一芯片主表面之上并且电耦合到第一芯片接触焊盘，其中，第一导电层在平行于第一芯片主表面的方向上延伸。所述半导体装置还包括第二导电层，其布置在第一导电层之上并且电耦合到第一导电层，其中，第二导电层在与第一导电层平行的方向上延伸。所述半导体装置还包括电直通连接结构，其电耦合到第一导电层和第二导电层，其中，电直通连接结构在垂直于第一芯片主表面的方向上延伸，并且在第一芯片主表面的顶视图中，电直通连接结构和半导体芯片不重叠。

本发明授权包括平行导电层的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 半导体芯片，其在第一芯片主表面上包括第一芯片接触焊盘且在与第一芯片主表面相反的第二芯片主表面上包括第二芯片接触焊盘； 第一导电层，其布置在第一芯片主表面之上并且电耦合到第一芯片接触焊盘，其中，第一导电层在平行于第一芯片主表面的方向上延伸； 第二导电层，其布置在第一导电层之上并且电耦合到第一导电层，其中，第二导电层在与第一导电层平行的方向上延伸； 电直通连接结构，其并行地直接电耦合到第一导电层和第二导电层，其中，电直通连接结构在垂直于第一芯片主表面的方向上延伸，并且在第一芯片主表面的顶视图中，电直通连接结构和半导体芯片不重叠； 第一过孔阵列，其将第一芯片接触焊盘和第一导电层电耦合； 第二过孔阵列，其将第一导电层和第二导电层电耦合，使得电直通连接结构通过第一、第二导电层和第一、第二过孔阵列直接电耦合到第一芯片接触焊盘； 第三导电层，其布置在第二芯片主表面之下并且电耦合到第二芯片接触焊盘，其中，第三导电层在平行于第二芯片主表面的方向上延伸；和 第四导电层，其布置在第三导电层之下并且电耦合到第三导电层，其中，第四导电层在平行于第三导电层的方向上延伸； 其中，第二导电层的背离第一芯片主表面的表面被完全暴露， 其中，第四导电层包括第一装置接触焊盘和第二装置接触焊盘，所述第一装置接触焊盘和第二装置接触焊盘中的每个均布置在半导体装置的底装置表面处， 其中，第一芯片接触焊盘经由第一导电层和第二导电层以及电直通连接结构电耦合到第二装置接触焊盘，第二芯片接触焊盘经由第三导电层电耦合到第一装置接触焊盘，以及 其中，当沿垂直于第一芯片主表面的方向观看时，半导体芯片至少部分与第一装置接触焊盘和第二装置接触焊盘重叠。

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