铠侠股份有限公司高桥笃史获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置的制造方法及半导体制造装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110256124.6，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体装置的制造方法及半导体制造装置是由高桥笃史设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法及半导体制造装置在说明书摘要公布了：本发明的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法及半导体制造装置。根据一实施方式，半导体装置的制造方法包括在衬底上形成第1膜。所述方法还包括：使用包含碳及氟的第1气体对所述第1膜进行蚀刻，由此在所述第1膜内形成凹部，且在所述凹部内形成第2膜。所述方法还包括通过使用第2气体或第2液体来处理所述第2膜，且所述第2膜的处理是在不使用等离子体的情况下进行的。
本发明授权半导体装置的制造方法及半导体制造装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括： 在衬底上形成第1膜； 使用包含碳及氟的第1气体对所述第1膜进行蚀刻，由此在所述第1膜内形成凹部，且在所述凹部内形成第2膜，所述第2膜为包含碳元素及氟元素的氟碳膜；以及 通过使用第2气体或第2液体来处理所述第2膜； 所述第2气体或所述第2液体使所述第2膜中的氟浓度变低，且包含硫化氢、氟化硫及硫化羰中的至少任一者， 所述第2膜的处理是在不使用等离子体的情况下进行的。
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