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爱思开海力士有限公司都恩惠获国家专利权

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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利包括层叠的半导体芯片的半导体封装件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114078796B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110217556.6,技术领域涉及:H01L23/488;该发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装件是由都恩惠;金钟薰设计研发完成,并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

包括层叠的半导体芯片的半导体封装件在说明书摘要公布了:本申请涉及包括层叠的半导体芯片的半导体封装件。一种半导体封装件包括:多个半导体芯片,其偏移地层叠以暴露出与第一侧表面相邻的边缘区域;芯片焊盘,其设置在多个半导体芯片中的所述边缘区域中的每一个中,芯片焊盘包括布置在第一列中的多个第一芯片焊盘和布置在第二列中的多个第二芯片焊盘;水平公共互连器,其一端连接到多个半导体芯片中的一个半导体芯片的第二芯片焊盘并且其另一端连接到另一半导体芯片的第一芯片焊盘;以及垂直公共互连器,其一端连接到最上端半导体芯片的与最上端半导体芯片的第一芯片焊盘电连接的第二芯片焊盘,最上端半导体芯片的第一芯片焊盘连接到水平公共互连器。

本发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装件在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装件,该半导体封装件包括: 第一半导体芯片至第N半导体芯片,该第一半导体芯片至第N半导体芯片具有在第一方向上延伸的第一侧表面,并且朝向所述第一侧表面的相反侧偏移地层叠,以暴露出与所述第一侧表面相邻的边缘区域,其中,N为2以上的自然数; 芯片焊盘,该芯片焊盘设置在所述第一半导体芯片至所述第N半导体芯片中的所述边缘区域中的每一个中,所述芯片焊盘包括沿着所述第一方向布置在第一列中的多个第一芯片焊盘和沿着所述第一方向布置在第二列中的多个第二芯片焊盘,所述第一列在与所述第一方向交叉的第二方向上比所述第二列更靠近所述第一侧表面,并且在所述第二方向上相邻的所述第一芯片焊盘和所述第二芯片焊盘彼此电连接; 水平公共互连器,该水平公共互连器的一端连接到所述第一半导体芯片至所述第N半导体芯片中的第k半导体芯片的第二芯片焊盘,并且另一端连接到第k+1半导体芯片的第一芯片焊盘,其中,k是1以上且N-1以下的自然数;以及 垂直公共互连器,该垂直公共互连器的一端连接到所述第N半导体芯片的与所述第N半导体芯片的第一芯片焊盘连接的第二芯片焊盘,所述第N半导体芯片的所述第一芯片焊盘连接到所述水平公共互连器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人爱思开海力士有限公司,其通讯地址为:韩国京畿道;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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