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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110208577.1，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体存储装置是由板井秀树;野口光弘;吉森宏雅;田端英之;中嶋靖设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种可适宜地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：2个存储块，在第1方向上排列，且在与第1方向交叉的第2方向上延伸；多个第1延伸体，分别设置于在第1方向上相邻的2个存储块之间，且在第2方向上延伸；及第2延伸体，在第2方向上与2个存储块相离，且在第1方向上延伸。2个存储块具备在与衬底的表面交叉的第3方向上排列的多个第1导电层。第1延伸体在第3方向具有一端及另一端，一端比另一端更靠近衬底，一端比多个第1导电层中的最靠近衬底的第1导电层更靠近衬底。第2延伸体在第3方向具有一端及另一端，一端比另一端更靠近衬底，一端比多个第1导电层中的至少一部分第1导电层更靠近衬底。第1延伸体的另一端及第2延伸体的另一端比多个第1导电层中的最远离衬底的第1导电层更远离衬底，且比多条位线更靠近衬底。第2延伸体在第2方向上与第1延伸体相离。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于具备： 衬底； 2个存储块，在平行于所述衬底的表面的第1方向上排列，且在平行于所述衬底的表面并且与所述第1方向交叉、与所述第1方向不同的第2方向上延伸； 第1延伸体，设置于在所述第1方向上相邻的2个存储块之间，且在所述第2方向上延伸； 第2延伸体，在所述第2方向上与所述2个存储块相离，且在所述第1方向上延伸；以及 多条位线，在所述第2方向上排列，且在所述第1方向上延伸，并连接于所述2个存储块；且 所述2个存储块具备在与所述衬底的表面交叉、与所述第1方向以及所述第2方向不同的第3方向上交替地排列的多个第1导电层及多个第1绝缘层， 所述第1延伸体在所述第3方向具有一端及另一端，所述一端比所述另一端更靠近所述衬底，所述一端比所述多个第1导电层中的最靠近所述衬底的第1导电层更靠近所述衬底， 所述第2延伸体在所述第3方向具有一端及另一端，所述一端比所述另一端更靠近所述衬底，所述一端比所述多个第1导电层中的至少一部分第1导电层更靠近所述衬底， 所述第1延伸体的所述另一端及所述第2延伸体的所述另一端比所述多个第1导电层中的最远离所述衬底的第1导电层更远离所述衬底，且比所述多条位线更靠近所述衬底， 所述第2延伸体在所述第2方向上与所述第1延伸体相离。

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