东京毅力科创株式会社渡部诚一获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理方法和基片处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284786B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110183119.7，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权基片处理方法和基片处理装置是由渡部诚一;成重和树;林欣禾;徐建峰;黄艺豪;梁振康;吕育骏;叶秋华;赵斌;蔡财进;渡边雄仁;河村浩司;小松贤次;金丽;陈伟德;刘达立设计研发完成，并于2021-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理方法和基片处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供能够抑制蚀刻过程中的电弧放电的发生的基片处理方法和基片处理装置。本发明是一种腔室中的基片处理方法，其中，腔室包括：载置基片的载置台；与载置台相对的上部电极；和用于对腔室内供给处理气体的气体供给口，该基片处理方法包含下述a～d。a是对载置台提供基片的工序。b是对腔室内供给第一处理气体的工序。c是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边连续地供给RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。d是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边供给脉冲状的RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。c和d被交替地反复执行。此外，c的每1次的期间为30秒以下。
本发明授权基片处理方法和基片处理装置在权利要求书中公布了：1.一种腔室中的基片处理方法，其特征在于： 所述腔室包括：载置基片的载置台；与所述载置台相对的上部电极；和用于对所述腔室内供给处理气体的气体供给口， 该基片处理方法包括： a对所述载置台提供基片的工序； b对所述腔室内供给第一处理气体的工序； c通过一边对所述上部电极连续地供给负直流电压，一边连续地供给连续的RF信号，来从所述第一处理气体生成等离子体的工序；和 d通过一边对所述上部电极连续地供给负直流电压，一边供给脉冲状的RF信号，来从所述第一处理气体生成等离子体的工序， 所述c和所述d被交替地反复执行， 所述c的每1次的期间为30秒以下。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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