信越半导体株式会社竹野博获国家专利权
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龙图腾网获悉信越半导体株式会社申请的专利单晶硅基板中的施主浓度的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115315784B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180023449.8，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权单晶硅基板中的施主浓度的控制方法是由竹野博设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶硅基板中的施主浓度的控制方法在说明书摘要公布了：本发明是一种单晶硅基板中的施主浓度的控制方法，其特征在于，基于获取到的相关关系，调整在准备工序中准备的对所述施主浓度进行控制的单晶硅基板的氧浓度和碳浓度，以使第二热处理工序后的对施主浓度进行控制的单晶硅基板中的施主浓度成为目标值。由此，提供一种单晶硅基板中的施主浓度的控制方法，能够减小单晶硅基板引起的施主浓度的偏差，并能够以高精度控制施主浓度。
本发明授权单晶硅基板中的施主浓度的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅基板中的施主浓度的控制方法，其通过进行以下工序来控制施主浓度： 准备工序，准备对施主浓度进行控制的单晶硅基板； 第二质子照射工序，对准备的所述单晶硅基板照射质子；以及 第二热处理工序，对该第二质子照射工序后的所述单晶硅基板实施热处理， 其特征在于，具有： 第一质子照射工序，在进行所述准备工序之前预先对氧浓度及碳浓度不同的多个试验用单晶硅基板照射质子； 第一热处理工序，对该第一质子照射工序后的所述多个试验用硅基板进行热处理； 测量工序，测量在该第一热处理工序后的所述多个试验用单晶硅基板中的扩展电阻并计算出电阻率，基于既有的电阻率与施主浓度的关系，根据计算出的所述电阻率求出施主浓度的深度方向分布，基于该求出的施主浓度的深度方向分布，测量在所述第一热处理工序后的所述多个试验用单晶硅基板中产生的施主增加量；以及 相关关系获取工序，获取测量出的所述施主增加量、与所述多个试验用硅基板的所述氧浓度和所述碳浓度之积的相关关系， 基于该获取到的所述相关关系，调整在所述准备工序中准备的对所述施主浓度进行控制的单晶硅基板的氧浓度和碳浓度，以使所述第二热处理工序后的对所述施主浓度进行控制的单晶硅基板中的施主浓度成为目标值。
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