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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823298B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110070502.1，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体结构的形成方法是由李强;苏波;金吉松设计研发完成，并于2021-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底包括用于形成目标图形的目标层，目标层上形成有图形定义层，图形定义层中形成有贯穿图形定义层的第一开口；在第一开口的侧壁形成第一侧墙层，第一侧墙层包括第一子侧墙层和第二子侧墙层；在第一开口中形成牺牲层；去除第一子侧墙层、以及位于第一子侧墙层侧壁的部分宽度的图形定义层和牺牲层，或者，去除第二子侧墙层、以及位于第二子侧墙层侧壁的部分宽度的图形定义层和牺牲层，形成第二开口；在第二开口的侧壁形成第二侧墙层；去除剩余的牺牲层和图形定义层；以剩余的第一侧墙层和第二侧墙层为掩膜刻蚀目标层，形成目标图形。本发明在增大工艺窗口的同时，进一步缩小目标图形之间的节距。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括用于形成目标图形的目标层，所述目标层上形成有图形定义层，所述图形定义层中形成有贯穿所述图形定义层的多个第一开口，多个所述第一开口沿第一方向延伸并沿第二方向排列，所述第二方向和第一方向相互垂直； 在所述第一开口的侧壁形成第一侧墙层，沿所述第二方向，所述第一侧墙层包括交替排布的第一子侧墙层和第二子侧墙层； 在所述第一开口的剩余空间中形成牺牲层； 沿所述第二方向，去除所述第一子侧墙层、以及位于所述第一子侧墙层侧壁的部分宽度的所述图形定义层和牺牲层，或者，去除所述第二子侧墙层、以及位于所述第二子侧墙层侧壁的部分宽度的所述图形定义层和牺牲层，形成由剩余的所述图形定义层、牺牲层和目标层围成的第二开口； 在所述第二开口的侧壁形成第二侧墙层； 形成所述第二侧墙层后，去除剩余的所述牺牲层和图形定义层； 去除剩余的所述牺牲层和图形定义层后，以剩余的所述第一侧墙层和所述第二侧墙层为掩膜刻蚀所述目标层，形成目标图形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。