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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112802739B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011619697.2，技术领域涉及：H01L21/263；该发明授权一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法是由张俐楠;陆凯;刘红英;吴立群;王洪成设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法，通过设置超声波换能器探头与电磁铁，电磁铁的磁力作用能够增强刻蚀的速率，提高刻蚀孔的垂直性，超声波和磁场耦合作用高深宽比刻蚀硅基，减少表面损伤，降低机械应力，能够有效保证刻蚀的精度以及侧壁的质量，形成合理的高深宽比的硅微通道，保证使用效果，有利于上述基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构在微纳米制造技术领域的推广及应用。

本发明授权一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法在权利要求书中公布了：1.一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构的研究方法，其特征在于：基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构，包括超声波换能器探头1、催化剂层2、磁性铁层6、光刻胶模板3、硅基4及电磁铁5，所述超声波换能器探头1位于所述硅基4上方设置，所述催化剂层2沉积在所述磁性铁层6的上方和下方，具有一定厚度的所述光刻胶模板3作为掩膜板覆着于所述硅基4表面，所述电磁铁5位于所述硅基4下方且与所述硅基4不接触设置； 所述超声波换能器探头1的中心轴线与所述硅基4的中心轴线位于同一条直线； 所述电磁铁5位于所述硅基4正下方设置； 所述光刻胶模板3由耐腐蚀材料制成； 所述研究方法包括以下步骤：S1，以光刻胶模板3为掩膜，获得催化剂层2刻蚀硅基4的圆柱微孔的结构；S2，硅基4下方放置有可控的电磁铁5；S3，超声波换能器探头1的超声波与电磁铁5的磁场之间相互耦合作用形成高深宽比刻蚀硅基4； S1中，使用对催化剂层2具有较高耐腐蚀性的光刻胶模板3作为掩膜，催化剂层2沉积在磁性铁层6的上方和下方，刻蚀前，先进行退火处理； S1中，在硅基4表面进行圆柱孔结构刻蚀； S3中，使用微型超声波机器置于需要刻蚀的硅基孔的上方进行加工试验，以实心圆柱形碳化钨棒为工具，将超声波换能器探头1对准硅基圆柱孔，使用超声波作用硅基高频蚀刻工艺进行处理。

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