TCL科技集团股份有限公司何斯纳获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利复合材料、量子点发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011644189.X，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权复合材料、量子点发光二极管及其制备方法是由何斯纳;吴龙佳;吴劲衡设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合材料、量子点发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法。复合材料包括金属氧化物纳米颗粒和MN4型半金属，金属氧化物纳米颗粒和MN4型半金属结合，其中MN4型半金属中M为最外层为3d电子轨道的金属原子。本发明将MN4型半金属与金属氧化物纳米颗粒复合后，利用半金属中表面金属原子容易与金属氧化物纳米颗粒表面的羟基配体进行配位的特性，使得金属氧化物纳米颗粒能够均匀分散。MN4型半金属拥有较高的电导率，通过与金属氧化物纳米颗粒复合，可以提高其导电性能。MN4型半金属的带隙较小，使得其与金属氧化物纳米颗粒结合的复合材料的电子由价带被激发到导带更加容易，载流子浓度增高，有利于载流子传输，提高器件发光效率。
本发明授权复合材料、量子点发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合材料，其特征在于，包括金属氧化物纳米颗粒和MN4型半金属，金属氧化物纳米颗粒和MN4型半金属结合，其中MN4型半金属中M为最外层为3d电子轨道的金属原子； MN4型半金属选自FeN4型半金属、CoN4型半金属或MnN4型半金属； 金属氧化物纳米颗粒表面结合有羟基配体，金属氧化物纳米颗粒表面的羟基配体与MN4型半金属表面的金属元素配位结合； 金属氧化物纳米颗粒为用作电子传输材料的金属氧化物纳米颗粒；或者，金属氧化物纳米颗粒为用作空穴传输材料的金属氧化物纳米颗粒。
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