广州集成电路技术研究院有限公司张峰溢获国家专利权
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龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利一种FinFET基础结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011595728.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种FinFET基础结构及其制造方法是由张峰溢;苏廷锜;黄崇哲;苏韦菘;林盈志设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种FinFET基础结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种FinFET基础结构及其制造方法；FinFET基础结构包括基体；还包括插设在基体上的填充件520；填充件520底部的侧壁上凸出形成有凸起部521；该凸起部521突出于基体顶面上；FinFET基础结构还包括覆盖在基体以及填充件520侧壁的位于基体上方的部分上的金属栅极。本发明的FinFET基础结构及其制造方法设计新颖，实用性强。
本发明授权一种FinFET基础结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种FinFET基础结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1、提供基体，然后通过刻蚀技术在基体上开设凹槽500； 步骤S2、在凹槽500内壁的靠近其开口的一部分氧化形成第一氧化层510，使凹槽500槽底凸出形成凸槽530； 步骤S3、在凹槽500和凸槽530中填充填充材料，从而形成填充件520；其中，填充在凸槽530内的填充材料形成填充件520的凸起部521； 步骤S4、通过移除基体的一部分，从而使得填充件520的凸起部521暴露出来； 步骤S5、形成帽层800，以使帽层800覆盖填充件520的凸起部521；然后退火移除帽层800；再在已被移除的帽层800的位置布置金属层910以形成金属栅极。
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