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龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利具有自对准接触结构的晶体管器件、电子装置及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011599509.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权具有自对准接触结构的晶体管器件、电子装置及形成方法是由林盈志;张峰溢;苏廷锜设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有自对准接触结构的晶体管器件、电子装置及形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有自对准接触结构的晶体管器件的形成方法，包括以下步骤：在半导体基板上形成多个栅极结构，栅极结构包括栅极和形成于栅极相对侧壁上的侧壁间隔物；在栅极结构的上方沉积一层绝缘材料形成绝缘层；切割绝缘层以形成位于栅极结构上方的覆盖层；切割覆盖层以在半导体基板上方形成自对准接触元件，其中，覆盖层的宽度大于栅极结构的宽度，自对准接触元件通过覆盖层和侧壁间隔物与栅极结构电绝缘。因而避免了现有技术中侧壁间隔物上有金属残留物；最后形成的NMOSPMOS栅极高度负载难以控制；凹陷栅极结构过程中使用的腔室门室难以维护聚合物丰富的问题。

本发明授权具有自对准接触结构的晶体管器件、电子装置及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种具有自对准接触结构的晶体管器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 在半导体基板上形成多个栅极结构，所述栅极结构包括栅极和形成于栅极相对侧壁上的侧壁间隔物；其中，在半导体基板上形成多个栅极结构的步骤包括：在半导体基板上淀积多晶硅栅极层；提供多晶硅栅极掩膜版；基于所述多晶硅栅极掩膜版，采用光刻和蚀刻形成设有多晶硅图案的半导体基板；在设有多晶硅图案的半导体基板上形成与栅极相邻的侧壁间隔物；蚀刻多晶硅并沉积栅极； 在所述栅极结构的上方沉积一层绝缘材料形成绝缘层； 切割所述绝缘层以形成位于所述栅极结构上方的覆盖层；其中，切割所述绝缘层以形成位于所述栅极结构上方的覆盖层的步骤包括： 在所述绝缘层上方形成光阻层； 基于所述多晶硅栅极掩膜版，通过蚀刻处理在所述光阻层形成一个或多个开口； 通过所述一个或多个开口切割所述绝缘层以形成所述覆盖层； 在所述半导体基板上方形成自对准接触元件，其中，所述覆盖层的宽度大于所述栅极结构的宽度，所述自对准接触元件通过所述覆盖层和所述侧壁间隔物与所述栅极结构电绝缘。

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