无锡华润上华科技有限公司徐海宁获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种MEMS器件及其制备方法、电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114655919B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011546984.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种MEMS器件及其制备方法、电子装置是由徐海宁;陈腾飞;李召峰设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述制备方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成振膜；执行第一退火步骤；在所述振膜上形成牺牲材料层，以覆盖所述振膜；在所述牺牲材料层上形成背板；执行第二退火步骤；去除所述振膜与所述背板之间的所述牺牲材料层，以形成空腔。所述方法通过多道退火步骤结合分开调整各层的应力，达到目前淀积条件调整方法无法达到的各层应力要求同时提高工艺的稳定性和窗口，所述方法还可以将膜层的形成条件一致化，提高炉管的产能利用率。
本发明授权一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成振膜； 执行第一退火步骤； 在所述振膜上形成牺牲材料层，以覆盖所述振膜； 在所述牺牲材料层上形成背板； 执行第二退火步骤； 去除所述振膜与所述背板之间的所述牺牲材料层，以形成空腔； 其中，所述第二退火步骤的温度小于所述第一退火步骤的温度； 所述振膜和所述背板的形成工艺相同； 所述振膜的生长温度为540℃～560℃，压力为200mtor～300mtor；和 所述背板的生长温度为540℃～560℃，压力为200mtor～300mtor。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡华润上华科技有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号