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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664728B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011547603.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：对第二区域的核心层进行离子掺杂，适于提高核心层的耐刻蚀度，位于第二区域的核心层用于作为抗刻蚀层；形成沿第一方向贯穿至少部分第一区域核心层的第一沟槽，在第二方向上第一沟槽的两侧保留有部分第一区域的核心层，用于作为牺牲层；在第一沟槽的侧壁上形成侧墙，使位于第一沟槽侧壁的侧墙围成第一凹槽；去除牺牲层，在抗刻蚀层中形成第二凹槽；第一凹槽和第二凹槽中的任意一个或两个凹槽中，形成有沿第二方向延伸的分割层，分割层沿第一方向分割对应的凹槽；以抗刻蚀层和侧墙以及分割层为掩膜，刻蚀第一凹槽和第二凹槽下方的目标层，形成目标图形。本发明实施例有利于进一步压缩目标图形之间的节距。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成目标图形的目标层； 在所述基底上形成核心层，包括第一区域、以及环绕所述第一区域的第二区域； 对所述第二区域的核心层进行第一离子掺杂，适于提高所述核心层的耐刻蚀度，位于所述第二区域、掺杂有离子的所述核心层用于作为抗刻蚀层； 形成沿第一方向贯穿至少部分所述第一区域的核心层的第一沟槽，与所述第一方向垂直的方向为第二方向，在所述第二方向上，所述第一沟槽的两侧保留有部分所述第一区域的核心层，用于作为牺牲层； 在所述第一沟槽的侧壁上形成侧墙，使位于所述第一沟槽侧壁的所述侧墙围成第一凹槽； 在进行第一离子掺杂以及形成所述侧墙之后，去除所述牺牲层，在所述抗刻蚀层中形成第二凹槽； 其中，所述第一凹槽和第二凹槽中的任意一个或两个凹槽中，形成有沿第二方向延伸的分割层，所述分割层沿第一方向分割对应的凹槽； 所述第二凹槽中形成有第二分割层，所述第二分割层沿所述第二方向延伸，且沿第一方向分割所述第二凹槽； 以所述抗刻蚀层和侧墙、以及所述分割层为掩膜，刻蚀所述第一凹槽和第二凹槽下方的目标层，形成目标图形。

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