广东致能科技有限公司黎子兰获国家专利权
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龙图腾网获悉广东致能科技有限公司申请的专利一种半导体器件、制造方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011527315.3，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体器件、制造方法及其应用是由黎子兰;张树昕;陈卫宾设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件、制造方法及其应用在说明书摘要公布了：本公开内容提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括基底；生成二维电荷载流子气的一界面；第一电极和第二电极；基底上形成的第一类型掺杂的第一半导体层，在所述第一半导体层中形成第一类型掺杂原子不具备电活性的第一区域和第一类型掺杂原子具备电活性的第二区域；所述第二区域中包含与所述第一区域共面的部分。所述半导体器件既能避免晶体结构的损伤，又能在工艺上容易实现，且能保持较好的二维电荷载流子气的输送性质，有利于器件性能的提升。
本发明授权一种半导体器件、制造方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其包括： 基底； 生成二维电荷载流子气的一界面； 第一电极和第二电极； 基底上形成的包含第一类型掺杂原子的第一半导体层，在所述第一半导体层中形成第一类型掺杂原子不具备电活性或者第一类型掺杂原子电活性被部分补偿的第一区域和第一类型掺杂原子具备电活性的第二区域； 所述第二区域中包含与所述第一区域共面的部分； 其中所述第一半导体层中所述第一类型掺杂原子的掺杂浓度设置为：所述第一电极垂直衬底的方向也即从所述第一半导体层的第一表面至第二表面的方向逐渐递增、或者从所述电极垂直基底的方向上以两头高中间低的方式设置；其中，所述第一半导体层的第二表面相对于第一表面更靠近所述基底。
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