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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639603B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011487881.6，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体结构的形成方法是由李强;苏波;金吉松设计研发完成，并于2020-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括用于形成目标图形的目标层，目标层上形成有图形定义层；在图形定义层中形成露出目标层顶面的多个第一开口；在第一开口的侧壁形成侧墙层，位于相邻第一开口之间的图形定义层、以及位于图形定义层的相对侧壁的侧墙层构成图形组；在剩余第一开口中形成牺牲层；进行多次图形定义处理，每次图形定义处理包括：去除一个或多个图形组中的图形定义层、以及图形定义层与侧墙层交界处的部分宽度的侧墙层，形成由剩余侧墙层和目标层围成的第二开口；去除牺牲层；以侧墙层和图形定义层为掩膜，刻蚀第一开口和第二开口底部的目标层，形成目标图形。本发明满足目标图形的节距不断缩小的要求。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括用于形成目标图形的目标层，所述目标层上形成有图形定义层，所述图形定义层中形成有露出所述目标层顶面的多个第一开口，多个所述第一开口沿第一方向延伸并沿第二方向排列，所述第二方向和第一方向相互垂直； 在所述第一开口的侧壁形成侧墙层，在所述第二方向上，位于相邻所述第一开口之间的所述图形定义层、以及位于所述图形定义层的相对侧壁上的所述侧墙层构成图形组； 在剩余所述第一开口中形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述目标层的顶部和侧墙层的侧壁； 进行多次图形定义处理，每次所述图形定义处理包括：沿所述第二方向，去除一个或多个所述图形组中的所述图形定义层、以及所述图形定义层与所述侧墙层交界处的部分宽度的所述侧墙层，形成由剩余所述侧墙层和目标层围成的第二开口； 在进行多次所述图形定义处理后，去除所述牺牲层； 去除所述牺牲层后，以所述侧墙层和图形定义层为掩膜，刻蚀所述第一开口和第二开口底部的所述目标层，形成目标图形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。