浙江驰拓科技有限公司韩谷昌获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种磁存储器及其性能调节方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114627920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011465986.1，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种磁存储器及其性能调节方法是由韩谷昌;张恺烨;杨晓蕾;刘波设计研发完成，并于2020-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁存储器及其性能调节方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种磁存储器性能调节方法，包括接收性能调节指令；获取磁隧道结与CMOS电路串联时所述磁隧道结的平行态翻转电压和反平行态翻转电压；调节平行态翻转电压或者反平行态翻转电压，以调节所述磁隧道结的性能。可见，本申请中的磁存储器性能调节方法在接收到性能调节指令后，获取磁隧道结与CMOS电路串联时磁隧道结平行态翻转电压和反平行态翻转电压，通过对平行态翻转电压或者反平行态翻转电压进行调节，从而对磁存储器的性能进行调节，优化磁存储器的写入难度、耐擦写次数。此外，本申请还提供一种磁存储器。
本发明授权一种磁存储器及其性能调节方法在权利要求书中公布了：1.一种磁存储器性能调节方法，其特征在于，包括： 接收性能调节指令； 获取磁隧道结与CMOS电路串联时所述磁隧道结的平行态翻转电压和反平行态翻转电压； 调节平行态翻转电压或者反平行态翻转电压，以调节所述磁隧道结的性能； 当所述性能调节指令为降低写入难度时，所述调节平行态翻转电压或者反平行态翻转电压，以调节所述磁隧道结的性能包括： 确定所述平行态翻转电压和所述反平行态翻转电压的大小关系； 当所述反平行态翻转电压大于所述平行态翻转电压时，增大所述平行态翻转电压或者减小所述反平行态翻转电压，向正向调节所述磁隧道结的磁偏置场，以平衡所述平行态翻转电压与所述反平行态翻转电压； 当所述反平行态翻转电压小于所述平行态翻转电压时，减小所述平行态翻转电压或者增大所述反平行态翻转电压，向负向调节所述磁偏置场，以平衡所述平行态翻转电压与所述反平行态翻转电压； 其中，所述磁隧道结至少包括钉扎层、参考层，隧道层及自由层，所述磁偏置场的方向以指向所述参考层的磁矩相同的方向为正方向。
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