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龙图腾网获悉科磊股份有限公司申请的专利使用晶片模型的晶片曝光方法及晶片制造组合件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114746811B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080084015.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权使用晶片模型的晶片曝光方法及晶片制造组合件是由S·布尔;P·格罗杰;P·落姆查齐尔设计研发完成，并于2020-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用晶片模型的晶片曝光方法及晶片制造组合件在说明书摘要公布了：本发明公开一种晶片曝光方法，其从预定测量位点处的晶片结构获得临界尺寸值。获得用于形成所述晶片结构的曝光工艺的位置相依工艺参数。从所述测量位点处的所述临界尺寸值确定预设模型及至少一个进一步模型的系数。每一进一步模型在至少一项上不同于所述预设模型及其它模型。所述模型估算随至少两个位置坐标变化的所述临界尺寸值、所述工艺参数及或所述工艺参数的校正值。确定从所述模型获得的估算临界尺寸值与所述测量位点处所获得的所述临界尺寸值之间的残差。从所述预设模型及所述至少一个进一步模型中选择更新模型。所述选择是基于使所述残差、所述模型的项的数目及或所述模型的项的阶加权的准则。

本发明授权使用晶片模型的晶片曝光方法及晶片制造组合件在权利要求书中公布了：1.一种晶片曝光方法，其包括： 从预定测量位点处的晶片结构获得临界尺寸值； 获得用于形成所述晶片结构的曝光工艺的位置相依工艺参数，所述工艺参数包括曝光参数； 从用于确定先前曝光的所述曝光参数的模型确定预设模型； 从所述测量位点处的所述临界尺寸值确定所述预设模型的系数及至少一个进一步模型的系数，其中所述预设模型及所述至少一个进一步模型由项的和表示，所述项包含至少一个位置坐标及系数，其中所述进一步模型中的每一者在至少一项上不同于所述预设模型及其它进一步模型，且其中所述预设模型及所述至少一个进一步模型中的每一者估算随两个位置坐标变化的所述临界尺寸值、所述工艺参数及或所述工艺参数的校正值； 确定从所述预设模型及所述至少一个进一步模型中的每一者获得的估算临界尺寸值与所述测量位点处所获得的所述临界尺寸值之间的残差；及 从所述预设模型及所述至少一个进一步模型中选择更新模型，其中所述选择是基于使所述残差、所述预设模型及所述至少一个进一步模型的项的数目及或所述预设模型及所述至少一个进一步模型的项的阶加权的准则。

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