赛米布莱恩有限公司宋承桓获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉赛米布莱恩有限公司申请的专利非易失性存储器单元的编程方法及非易失性存储器设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112885395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011361631.8，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权非易失性存储器单元的编程方法及非易失性存储器设备是由宋承桓设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器单元的编程方法及非易失性存储器设备在说明书摘要公布了：本申请涉及非易失性存储器单元的编程方法及非易失性存储器设备。描述了一种用于在存储器阵列中所选的存储器单元的选择性非易失性存储器编程方法，以减少或避免对未选择的存储器单元的编程干扰。该选择性编程方法包括：将编程脉冲施加到所选择的待编程的存储器单元和未选择的存储器单元，其中，编程脉冲允许未选择的存储器单元在预定范围内变化；使未选择的存储器单元的区域升压；以及设定编程脉冲的阈值时间，其中，阈值时间定义为未选择的存储器单元的浮置栅极与未选择的存储器单元的所升压的区域之间的电压差异的绝对值达到定义的阈值时的时间。
本发明授权非易失性存储器单元的编程方法及非易失性存储器设备在权利要求书中公布了：1.一种对布置在闪存器件中由输入电压线和位线定义的存储器阵列中的非易失性的存储器单元进行编程的方法，包括： 向选择的存储器单元和未选择的存储器单元施加相同的编程电压，其中，所述未选择的存储器单元的浮置栅极在规定的范围内充电； 使所述未选择的存储器单元的区域升压，所述区域包括所述未选择的存储器单元的源极、漏极和在所述源极与所述漏极之间的沟道；以及 设置阈值编程时间，以防止所述未选择的存储器单元被所述编程电压意外编程， 其中，所述阈值编程时间设置为等于在所述未选择的存储器单元的所述浮置栅极与所述未选择的存储器单元的所述升压的区域之间的电压差异达到在施加所述编程电压后所述编程电压即将对所述未选择的存储器单元进行编程的时间点的时间；以及 其中，所述阈值编程时间还设置为等于在所述未选择的存储器单元的所述浮置栅极与所述未选择的存储器单元的所述升压的区域之间的所述电压差异的绝对值达到预定阈值时的时间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人赛米布莱恩有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号