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龙图腾网获悉浜松光子学株式会社申请的专利半导体故障解析装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114616475B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080074955.5，技术领域涉及：G01R31/265；该发明授权半导体故障解析装置是由活洲政敬;荒田育男;伊藤能弘;石塚利道设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体故障解析装置在说明书摘要公布了：本发明的半导体故障解析装置1具备：测试器2，其对半导体器件100施加刺激信号；光源3，其产生照射于半导体器件100的照射光L1；固体浸没式透镜4，其配置于照射光L1的光路上；光检测部5，其接受反射光L2，并且输出对应于反射光L2的检测信号；光学系统6，其配置于光源3与固体浸没式透镜4之间，经由固体浸没式透镜4对半导体器件100出射照射光L1，且配置于固体浸没式透镜4与光学检测部5之间，将经由固体浸没式透镜4而接受的反射光L2出射至光检测部5；及计算机7，其利用检测信号获得与半导体器件100的故障部位相关的信息。光源3出射中心波长为880nm以上且980nm以下的照射光L1。固体浸没式透镜4由GaAs形成。

本发明授权半导体故障解析装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体故障解析装置，其中， 是利用对刺激信号的应答来解析半导体器件所包含的故障部位的半导体故障解析装置， 所述半导体故障解析装置具备： 信号产生部，其对所述半导体器件施加刺激信号； 光源，其产生CW光作为照射于所述半导体器件的照射光； 固体浸没式透镜，其配置于所述照射光的光路上； 光检测部，其接受所述CW光在所述半导体器件反射而产生的反射光，并且输出对应于所述反射光的检测信号； 光学系统，其配置于所述光源与所述固体浸没式透镜之间，经由所述固体浸没式透镜对所述半导体器件出射所述CW光，并且配置于所述固体浸没式透镜与所述光检测部之间，将经由所述固体浸没式透镜而接受的所述反射光出射至所述光检测部；及 解析部，其从所述检测信号获得与所述半导体器件的故障部位相关的信息， 所述光源，出射中心波长为880nm以上且980nm以下的所述CW光， 所述固体浸没式透镜由具有在880nm以上且980nm以下的波长段内光透过率变化的特性，并且所述光透过率变化的特性随着温度变高向长波长侧移动的砷化镓GaAs形成， 所述反射光的波长包含所述照射光的中心波长， 所述反射光，在通过所述固体浸没式透镜时，由于受到因所述固体浸没式透镜的温度变化而引起的所述固体浸没式透镜的光透过率的变化的影响，而光强度变化， 所述解析部，使用基于所述反射光的所述检测信号，获得与所述半导体器件的故障部位相关的信息，所述反射光根据对应于所述固体浸没式透镜的温度的所述固体浸没式透镜的光透过率而产生光强度的变化。

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